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    真空鍍膜技術的一般術語及工藝(2)

    真空鍍膜技術的一般術語及工藝(2)

    2.1.8激光束蒸發laserbeamevaporation:通過激光束加熱蒸發材料的蒸發。

        2.1.9間接加熱的蒸發indirectheatingevaporation:在加熱裝置(例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發材料獲得蒸發所必須的熱量并通過熱傳導或熱輻射方式傳遞給蒸發材料的蒸發。

        2.1.10閃蒸flashevaportion:將極少量的蒸發材料間斷地做瞬時的蒸發。

        2.2真空濺射vacuumsputtering:在真空中,惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團的過程。

        2.2.1反應性真空濺射reactivevacuumsputtering:通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。

        2.2.2偏壓濺射biassputtering:在濺射過程中,將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

        2.2.3直流二級濺射directcurrentdiodesputtering:通過二個電極間的直流電壓,使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

        2.2.4非對稱性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering:通過二個電極間的非對稱性交流電壓,使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

        2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering:通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。

        2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering:借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電,氣體放電所產生的離子,由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

        2.2.7熱陰極高頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering:借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電,氣體放電產生的離子,在靶表面負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。

        2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering:利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

        2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning:利用輝光放電原理,使基片以及膜層表面經受氣體放電轟擊的清洗過程。

        2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition:在真空狀態下,鍍膜材料經蒸發或濺射等物理方法氣化,沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

        2.4化學氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition:一定化學配比的反應氣體,在特定激活條件下(通常是一定高的溫度),通過氣相化學反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。


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